
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53B TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Anzahl
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BDX53B
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
8 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
2 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
500 µA
- Leistung (max) P(TOT)
60 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
750
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
3 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
3 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 156876 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53B TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Datenblatt 156876 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53B TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 156876 STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret BDX53B TO-220AB Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington

