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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546ABU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
Datenblatt (PDF)
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Technische Daten
- Typ
BC546ABU
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
65 V
- VCE Sättigung (max.)
600 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
15 nA
- Leistung (max) P(TOT)
500 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
110
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
2 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
300 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
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Datenblatt
Datenblatt 154997 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC546ABU TO-92-3 Anzahl Kanäle 1 NPN