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Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
100 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
Datenblatt (PDF)
4846 Stück
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Technische Daten
- Typ
BC847B
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
100 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
45 V
- VCE Sättigung (max.)
600 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
15 nA
- Leistung (max) P(TOT)
330 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
200
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
2 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
5 V
- Transitfrequenz f(T)
250 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 153157 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 153157 Infineon Technologies Transistor (BJT) - diskret BC847B SOT-23-3 Anzahl Kanäle 1 NPN
Beschreibung
NPN-Transistor (8 mm-Gurt)