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Aktive Bauelemente Halbleiter Feldeffekttransistoren MOSFETS

Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 P-Kanal 74 W TO-220

EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Zwei schwarze, rechteckige elektronische Bauteile mit je drei Anschlussstiften rechts nebeneinander liegend, wahrscheinlich Transistoren.
Abbildung ähnlich
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
74 W
R(DS)(on)
800 mΩ
Datenblatt (PDF)
English
Vishay
Nicht verfügbar

Verkauf und Versand:
Conrad Electronic Widerruf

Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
3
-
€ 0,70
9
9% = € 0,06
€ 0,64
15
10% = € 0,07
€ 0,63
30
13% = € 0,09
€ 0,61
60
16% = € 0,11
€ 0,59
120
17% = € 0,12
€ 0,58
300
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Highlights & Details

Power MOSFET, P-Kanal

Unser Service für Sie

Technische Daten

Typ

IRF9630PBF

Produkt-Art

MOSFET

Gehäuse

TO-220

Hersteller

Vishay

Herst.-Abk.

VIS

Ausführung

P-Kanal

I(d)

6.5 A

U

200 V

Leistung (max) P(TOT)

74 W

R(DS)(on)

800 mΩ

R(DS)(on) Referenz-Strom

3.9 A

R(DS)(on) Referenz-Spannung

10 V

U(GS)(th) max.

4 V

U(GS)(th) Referenz-Strom max.

250 µA

Q(G)

29 nC

Q(G) Referenz-Spannung

10 V

C(ISS)

700 pF

C(ISS) Referenz-Spannung

25 V

Betriebstemperatur (min.)

-55 °C

Montageart

Durchführungsloch

Betriebstemperatur (max.)

+150 °C

Transistor-Merkmal

Standard

U(DSS)

200 V

Kanäle

1

Inhalt

1 St.

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Gehäuse
R(DS)(on) Referenz-Strom
R(DS)(on)
U(DSS)
Leistung (max) P(TOT)
C(ISS)
Montageart
 
Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 P-Kanal 74 W TO-220
Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 P-Kanal 74 W TO-220

162541

 
Dieser Artikel
TO-220
3.9 A
800 mΩ
200 V
74 W
700 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF4905PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220

162399

 
TO-220
38 A
20 mΩ
55 V
200 W
3400 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220

162406

 
TO-220
24 A
60 mΩ
100 V
200 W
2700 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3
Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-263-3

162408

 
TO-263-3
16 A
60 mΩ
55 V
3.8 W
1200 pF
Oberflächenmontage
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220
Infineon Technologies IRF9530NPBF MOSFET 1 P-Kanal 79 W TO-220

162536

 
TO-220
8.4 A
200 mΩ
100 V
79 W
760 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220
Infineon Technologies IRF9540NPBF MOSFET 1 P-Kanal 140 W TO-220

162537

 
TO-220
11 A
117 mΩ
100 V
140 W
1300 pF
Durchführungsloch
Vishay IRF9620PBF MOSFET 1 P-Kanal 40 W TO-220
Vishay IRF9620PBF MOSFET 1 P-Kanal 40 W TO-220

162540

 
TO-220
1.5 A
1.5 Ω
200 V
40 W
350 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220AB
Infineon Technologies IRF9Z24NPBF MOSFET 1 P-Kanal 45 W TO-220AB

162549

 
TO-220AB
7.2 A
175 mΩ
55 V
45 W
350 pF
Durchführungsloch
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220
Infineon Technologies IRF9Z34N MOSFET 1 P-Kanal 3.8 W TO-220

162551

 
TO-220
10 A
100 mΩ
55 V
3.8 W
620 pF
Oberflächenmontage

Dokumente & Downloads

Datenblatt

English

Datenblatt 162541 Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 P-Kanal 74 W TO-220

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162541 Vishay IRF9630PBF MOSFET 1 P-Kanal 74 W TO-220

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