Abbildung ähnlich
Diotec DI045N10PQ-AQ MOSFET N-Kanal 4 W PowerQFN 5x6
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
PowerQFN 5x6
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
4 W
R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
Datenblatt (PDF)
EAN:
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Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 45A, 150°C, N
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 5x6
- Drain-Source-Spannung - VDS: 100 V
- Drainstrom - ID: 45.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: N
- Verlustleistung - Ptot: 40.000 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: 400.000 A
- Schwellspannung - VGSth: 2.5 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0065 Ω
- ID: 20 A
- VGS: 10 V
- Einschaltzeit - ton: 38 ns
- Ausschaltzeit - toff: 23 ns
- Typ
DI045N10PQ-AQ
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 5x6
- Hersteller
Diotec
- Herst.-Abk.
DIO
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
45 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
4 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
100 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809577 Diotec DI045N10PQ-AQ MOSFET N-Kanal 4 W PowerQFN 5x6
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809577 Diotec DI045N10PQ-AQ MOSFET N-Kanal 4 W PowerQFN 5x6
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Zubehör
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