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Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
HEXFET
Leistung (max) P(TOT)
110 W
R(DS)(on)
22 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
3
-
€ 1,08
9
8% = € 0,09
€ 0,99
15
12% = € 0,13
€ 0,95
30
14% = € 0,15
€ 0,93
60
15% = € 0,16
€ 0,92
120
19% = € 0,20
€ 0,88
300
20% = € 0,22
€ 0,86
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Anzahl
Min.: 3
Gesamt (€ 1,08 / Stück)
€ 3,24
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRLZ44NPBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
HEXFET
- I(d)
47 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
22 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
25 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
48 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
5 V
- C(ISS)
1700 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
55 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162877 Infineon Technologies IRLZ44NPBF MOSFET 1 HEXFET 110 W TO-220