Abbildung ähnlich
Diotec DI100N10PQ MOSFET 5 W PowerQFN 5x6
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
PowerQFN 5x6
Leistung (max) P(TOT)
5 W
Montageart
Oberflächenmontage
U(DSS)
100 V
Datenblatt (PDF)
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Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 5x6, 100V, 80A, 150°C, N
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 5x6
- Drain-Source-Spannung - VDS: 100 V
- Drainstrom - ID: 80.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: N
- Verlustleistung - Ptot: 50.000 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: 480.000 A
- Schwellspannung - VGSth: 2.4 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0045 Ω
- ID: 50 A
- VGS: 10 V
- Einschaltzeit - ton: 69 ns
- Ausschaltzeit - toff: 31 ns
- Typ
DI100N10PQ
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 5x6
- Hersteller
Diotec
- I(d)
80 A
- Leistung (max) P(TOT)
5 W
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
100 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809605 Diotec DI100N10PQ MOSFET 5 W PowerQFN 5x6
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809605 Diotec DI100N10PQ MOSFET 5 W PowerQFN 5x6
Beschreibung
MOSFET, Typ=DI100N10PQ, Abfallzeit=8 ns, Anstiegzeit=43 ns, Ausschaltverzögerung=23 ns, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=100 V, Einschaltverzögerung=26 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=80 A, Leistungsverteilung (PV)=60 W, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=4.5 mΩ, Bauform=QFN, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101
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Zubehör
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