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Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
600 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
150 V
Datenblatt (PDF)
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-
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300
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Highlights & Details
BJT, TO-92, 150V, 600mA, PNP
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Technische Daten
- Typ: Wire-lead
- Gehäuse: TO-92
- Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 150 V
- DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
- Polarität - pol: PNP
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
- Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 60
- VCE: 5 V
- IC: 10 mA
- Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
- IC: 50 mA
- IB: 5 mA
- Transitfrequenz - ft: 100 MHz
- IC: 10 mA
- VCE: 5 V
- f: 50 MHz
- Typ
2N5401
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
Diotec
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
600 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
150 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
0.625 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
60
- Transitfrequenz f(T)
50 MHz
- Montageart
Durchsteckmontage
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
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Datenblatt
Datenblatt 2808997 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP
Beschreibung
Bipolarer Transistor, Typ=2N5401, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=150 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=400 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Gurtware