Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP
Brand: Diotec
SKU: 2808997
Availability: InStock

'TO-92-Transistor mit drei langen Metallbeinen und schwarzem, geformtem Kunststoffkörper, dargestellt in einem isolierten Bild.'

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

150 V

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Highlights & Details

BJT, TO-92, 150V, 600mA, PNP

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Technische Daten

Typ: Wire-lead
Gehäuse: TO-92
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 150 V
DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 60
VCE: 5 V
IC: 10 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 500 mV
IC: 50 mA
IB: 5 mA
Transitfrequenz - ft: 100 MHz
IC: 10 mA
VCE: 5 V
f: 50 MHz

Typ: 2N5401

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-92

Hersteller: Diotec

Ausführung: PNP

Collector-Strom I(C): 600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 150 V

VCE Sättigung (max.): 500 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.625 W

DC Stromverstärkung (hFE): 60

Transitfrequenz f(T): 50 MHz

Montageart: Durchsteckmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Ausführung

Collector-Strom I(C)

Gehäuse

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

Leistung (max) P(TOT)

Montageart

Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP

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PNP

600 mA

TO-92

150 V

0.625 W

Durchsteckmontage

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Datenblatt

Datenblatt 2808997 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2808997 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N5401 TO-92 PNP

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=2N5401, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=240, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=160 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=150 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=500 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=400 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Gurtware