Name: Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP
Brand: Diotec
SKU: 2808992
Availability: InStock

Ein schwarzer Transistor in einem TO-92-Gehäuse mit drei Anschlüssen zur Montage auf einer Leiterplatte.

Abbildung ähnlich

Produkt-Art

Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse

TO-92

Ausführung

PNP

Collector-Strom I(C)

600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

60 V

Datenblatt (PDF)

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Highlights & Details

BJT, TO-92, 60V, 600mA, PNP

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Technische Daten

Typ: Wire-lead
Gehäuse: TO-92
Kollektor Emitter Spannung - VCEO: 60 V
DC Kollektorstrom - IC: 600 mA
Polarität - pol: PNP
Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
Verlustleistung - Ptot: 0.625 W
Kollektor Basis Stromverhältnis - hfe: 200
VCE: 10 V
IC: 150 mA
Kollektor Sättigungsspannung - VCEsat: 300 mV
IC: 150 mA
IB: 15 mA
Transitfrequenz - ft: 250 MHz
IC: 20 mA
VCE: 20 V
f: 100 MHz

Typ: 2N2907A

Produkt-Art: Transistor (BJT) - diskret

Gehäuse: TO-92

Hersteller: Diotec

Ausführung: PNP

Collector-Strom I(C): 600 mA

Kollektor-Emitterspannung U(CEO): 60 V

VCE Sättigung (max.): 300 mV

Leistung (max) P(TOT): 0.625 W

DC Stromverstärkung (hFE): 200

Transitfrequenz f(T): 100 MHz

Montageart: Durchsteckmontage

RoHS-konform: Ja

Inhalt: 1 St.

Betriebstemperatur (max.): 150 °C

UKCA: Ja

Varianten(Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt., zzgl. Versand)

Gehäuse

Collector-Strom I(C)

Kollektor-Emitterspannung U(CEO)

Leistung (max) P(TOT)

Ausführung

Montageart

Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP

Bestell-Nr.:2808992

Sofort-Lieferung Fr., 23. Okt.

6201 StückConrad Electronic

Dieser Artikel

TO-92

600 mA

60 V

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Dokumente & Downloads

Datenblatt

Datenblatt 2808992 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP

Bedienungs- und Sicherheitshinweise

Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2808992 Diotec Transistor (BJT) - diskret 2N2907A TO-92 PNP

Beschreibung

Bipolarer Transistor, Typ=2N2907A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=200, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=60 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=60 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.6 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=600 mA, Leistungsverteilung (PV)=625 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=250 MHz, Bauform=TO-92, Konfiguration=Einfach, Montageart=Durchsteckmontage, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Gurtware