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Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
333 W
R(DS)(on)
4 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
1
-
€ 1,66
10
8% = € 0,13
€ 1,53
25
11% = € 0,18
€ 1,48
50
14% = € 0,23
€ 1,43
100
15% = € 0,25
€ 1,41
250
17% = € 0,29
€ 1,37
500
20% = € 0,34
€ 1,32
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Highlights & Details
MOSFET (HEXFET/FETKY)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF1404PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
202 A
- U
40 V
- Leistung (max) P(TOT)
333 W
- R(DS)(on)
4 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
121 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
196 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
5669 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
40 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162372 Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162372 Infineon Technologies IRF1404PBF MOSFET 1 N-Kanal 333 W TO-220AB