Abbildung ähnlich
Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
375 W
R(DS)(on)
20 mΩ
Datenblatt (PDF)
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Anzahl
Min.: 10
Vielfache: 10
Gesamt (€ 3,99 / Stück)
€ 3,99
inkl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRFB4127PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
76 A
- U
200 V
- Leistung (max) P(TOT)
375 W
- R(DS)(on)
20 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
44 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
5 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
150 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
5380 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
200 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 564026 Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 564026 Infineon Technologies IRFB4127PBF MOSFET 1 N-Kanal 375 W TO-220AB
Wird oft zusammen gekauft
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt) Dieser Artikel
Conrad Electronic
€ 39,90*
Gesamtpreis:
€ 43,50*
Häufig gesuchte MOSFETS:
Zubehör
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden
