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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6284 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-3
Ausführung
NPN - Darlington
Collector-Strom I(C)
20 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
EAN:
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Highlights & Details
Darlington Leistungstransistor
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Technische Daten
- Typ
2N6284
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN - Darlington
- Collector-Strom I(C)
20 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
100 V
- VCE Sättigung (max.)
3 V
- Kollektor Reststrom I(CES)
1 mA
- Leistung (max) P(TOT)
160 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
750
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
10 A
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
3 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 151293 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret 2N6284 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington
Beschreibung
Hinweis: Hersteller SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
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