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Highlights & Details
MOSFET, PowerQFN 5x6, 150V, 110A, 150°C, N
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Technische Daten
- Typ: SMD
- Gehäuse: PowerQFN 5x6
- Drain-Source-Spannung - VDS: 150 V
- Drainstrom - ID: 110.000 A
- Sperrschicht Temperatur - Tjmax: 150 °C
- Polarität - pol: N
- Verlustleistung - Ptot: 62.000 W
- Drain-Spitzenstrom - IDM: 145.000 A
- Schwellspannung - VGSth: 2.5 V
- Einschaltwiderstand - RDSon: 0.0117 Ω
- ID: 20 A
- VGS: 10 V
- Einschaltzeit - ton: 73 ns
- Ausschaltzeit - toff: 47 ns
- Typ
DI110N15PQ
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
PowerQFN 5x6
- Hersteller
Diotec
- Herst.-Abk.
DIO
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
110 A
- Leistung (max) P(TOT)
62 W
- R(DS)(on) Referenz-Strom
20 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
2.5 V
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
150 °C
- U(DSS)
150 V
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 2809612 Diotec DI110N15PQ MOSFET N-Kanal 62 W PowerQFN 5x6
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 2809612 Diotec DI110N15PQ MOSFET N-Kanal 62 W PowerQFN 5x6
Häufig gesuchte MOSFETS:
Zubehör
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