Infineon Technologies IRF1010NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 180 W D2PAK
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
180 W
R(DS)(on)
0.011 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
10
-
€ 1,24
30
8% = € 3,00
€ 1,14
50
11% = € 7,00
€ 1,10
100
13% = € 16,00
€ 1,08
200
15% = € 36,00
€ 1,06
400
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€ 1,03
1000
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRF1010NSPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
85 A
- U
55 V
- Leistung (max) P(TOT)
180 W
- R(DS)(on)
0.011 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026343 Infineon Technologies IRF1010NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 180 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026343 Infineon Technologies IRF1010NSPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 180 W D2PAK
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