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Infineon Technologies IRFB3206PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220AB
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
300 W
R(DS)(on)
3 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
€ 4,16
5
7% = € 1,40
€ 3,88
10
9% = € 3,80
€ 3,78
25
11% = € 11,25
€ 3,71
50
12% = € 25,50
€ 3,65
100
14% = € 60,00
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Highlights & Details
Transistor unipolar (MOSFET)
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRFB3206PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220AB
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
120 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
300 W
- R(DS)(on)
3 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
75 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
150 µA
- Q(G)
170 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
6540 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
50 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 160924 Infineon Technologies IRFB3206PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 160924 Infineon Technologies IRFB3206PBF MOSFET 1 N-Kanal 300 W TO-220AB
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