Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 66 W TO-252AA
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
66 W
R(DS)(on)
0.205 Ω
Datenblatt (PDF)
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Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
50
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150
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFR
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Technische Daten
- Typ
IRFR5410PBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-252AA
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-13 A
- U
-100 V
- Leistung (max) P(TOT)
66 W
- R(DS)(on)
0.205 Ω
- Montageart
Durchführungsloch
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 66 W TO-252AA
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026279 Infineon Technologies IRFR5410PBF-GURT MOSFET 1 P-Kanal 66 W TO-252AA
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