Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
D2PAK
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
0.04 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
10
-
€ 1,91
30
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€ 1,77
50
10% = € 10,00
€ 1,71
100
13% = € 24,00
€ 1,67
200
14% = € 54,00
€ 1,64
400
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRF_
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Technische Daten
- Typ
IRL2910SPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
D2PAK
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
55 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
0.04 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026424 Infineon Technologies IRL2910SPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 200 W D2PAK
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