Infineon Technologies IRLR120NPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-252AA
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252AA
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
48 W
R(DS)(on)
0.265 Ω
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
3
-
€ 0,57385
9
8% = € 0,42
€ 0,52766
15
11% = € 0,97
€ 0,50918
30
13% = € 2,31
€ 0,49690
60
15% = € 5,17
€ 0,48766
120
18% = € 12,19
€ 0,47228
300
20% = € 35,10
€ 0,45684
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Highlights & Details
INFI SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet IRFR
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Technische Daten
- Typ
IRLR120NPBF-GURT
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-252AA
- Hersteller
Infineon Technologies
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
10 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
48 W
- R(DS)(on)
0.265 Ω
- Montageart
Durchführungsloch
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026303 Infineon Technologies IRLR120NPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-252AA
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026303 Infineon Technologies IRLR120NPBF-GURT MOSFET 1 N-Kanal 48 W TO-252AA
Beschreibung
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 11A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gehäuse: DPAK
Kanal-Art: stark
Drainstrom: 11A
Eigenschaften von Halbleiterelementen: logic level
Gehäuse: DPAK
Kanal-Art: stark
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