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ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) MMBTH81 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
Gehäuse
TO-236-3
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
50 mA
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
20 V
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Highlights & Details
Transistor
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Technische Daten
- Typ
MMBTH81
- Produkt-Art
HF-Transistor (BJT)
- Gehäuse
TO-236-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
50 mA
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
20 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Leistung (max) P(TOT)
225 mW
- DC Stromverstärkung (hFE)
60
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
5 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
10 V
- Transitfrequenz f(T)
600 MHz
- Montageart
Oberflächenmontage
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1264866 ON Semiconductor HF-Transistor (BJT) MMBTH81 TO-236-3 Anzahl Kanäle 1 PNP
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