STMicroelectronics unipolar Transistor: P-MOSFET 35W DPAK -60V -7,2A MOSFET 1 P-Kanal 35 W TO-252
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-252
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
35 W
R(DS)(on)
0.16 Ω
Datenblatt (PDF)
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30
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200
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Highlights & Details
STM SMD-Leistungs-MOSFETs gegurtet STD_
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Technische Daten
- Typ
unipolar Transistor: P-MOSFET 35W DPAK -60V -7,2A
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-252
- Hersteller
STMicroelectronics
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
-10 A
- U
-60 V
- Leistung (max) P(TOT)
35 W
- R(DS)(on)
0.16 Ω
- Montageart
Oberflächenmontage
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
- UKCA
Ja
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026574 STMicroelectronics unipolar Transistor: P-MOSFET 35W DPAK -60V -7,2A MOSFET 1 P-Kanal 35 W TO-252
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026574 STMicroelectronics unipolar Transistor: P-MOSFET 35W DPAK -60V -7,2A MOSFET 1 P-Kanal 35 W TO-252
Beschreibung
Drain-Source Spannung: -60V
Drainstrom: -7,2A
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: DPAK
Kanal-Art: stark
Drainstrom: -7,2A
Gate-Source Spannung: ±20V
Gehäuse: DPAK
Kanal-Art: stark
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