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Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
200 W
R(DS)(on)
60 mΩ
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
1
-
€ 2,91
10
8% = € 2,20
€ 2,69
25
11% = € 7,75
€ 2,60
50
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Highlights & Details
Power MOSFET, P-Kanal
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
IRF5210PBF
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
Infineon Technologies
- Herst.-Abk.
INF
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
40 A
- U
100 V
- Leistung (max) P(TOT)
200 W
- R(DS)(on)
60 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
24 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
180 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
2700 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Serie
HEXFET®
- Betriebstemperatur (max.)
+175 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
100 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 162406 Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 P-Kanal 200 W TO-220
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