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STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220 Tube
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Verpackungsart
Tube
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
TO-220
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
110 W
Datenblatt (PDF)
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. gesetzl. MwSt.)
10
-
€ 0,68
30
7% = € 0,05
€ 0,63
50
10% = € 0,07
€ 0,61
100
13% = € 0,09
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Highlights & Details
STM Leistungs-MOSFETs STP_ TO220
- N CHANNEL MOSFET
- RoHS konform: Ja
- Herstellerverpackungseinheit: 50 Stück
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Details: N-channel 60 V, 0.015 O, 50 A STripFET™Drain-Source-Spannung: 60 VGate-Schwellenspannung: +/- 20 VDunkelstrom @Tc = 25 °C: 50 ABetriebstemperatur: -55 - 175 °C
- Verpackungsart
Tube
- Typ
STP55NF06
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
TO-220
- Hersteller
STMicroelectronics
- Herst.-Abk.
STM
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
50 A
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
110 W
- R(DS)(on)
0.018 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
50 A
- U(GS)(th) max.
3 V
- C(ISS)
1300 pF
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Durchführungsloch
- Betriebstemperatur (max.)
175 °C
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- RoHS-konform
Ja
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 3026610 STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220 Tube
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 3026610 STMicroelectronics STP55NF06 MOSFET 1 N-Kanal 110 W TO-220 Tube
Beschreibung
Details: N-channel 60 V, 0.015 O, 50 A STripFET™
Drain-Source-Spannung: 60 V
Gate-Schwellenspannung: +/- 20 V
Dunkelstrom @Tc = 25 °C: 50 A
Betriebstemperatur: -55 - 175 °C