Abbildung ähnlich
ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 N-Kanal 800 mW SOT-23-6
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-6
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
800 mW
R(DS)(on)
77 mΩ
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Gesamt (€ 0,89 / Stück)
€ 0,98
-9 %
€ 0,89
inkl. MwSt.
Kostenfreier Versand mit
14 Tage Rückgaberecht inklusive (30 Tage mit)
Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
FDC3512
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-6
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
3 A
- U
80 V
- Leistung (max) P(TOT)
800 mW
- R(DS)(on)
77 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
3 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
4 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
18 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
634 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
40 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
PowerTrench®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
80 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263334 ON Semiconductor FDC3512 MOSFET 1 N-Kanal 800 mW SOT-23-6
Häufig gesuchte MOSFETS:
Zubehör
(*Alle Angaben sind zzgl. gesetzl. MwSt)Das notwendige Zubehör ist erforderlich, um den Artikel wie beschrieben zu verwenden
