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ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 N-Kanal 700 mW SOT-23-6
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-6
Ausführung
N-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
700 mW
R(DS)(on)
95 mΩ
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
5
-
€ 0,80
15
9% = € 1,05
€ 0,73
25
11% = € 2,25
€ 0,71
50
14% = € 5,50
€ 0,69
100
15% = € 12,00
€ 0,68
200
18% = € 28,00
€ 0,66
500
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Highlights & Details
MOSFET
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Technische Daten
- Typ
FDC6561AN
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-6
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
N-Kanal
- I(d)
2.5 A
- U
30 V
- Leistung (max) P(TOT)
700 mW
- R(DS)(on)
95 mΩ
- R(DS)(on) Referenz-Strom
2.5 A
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
250 µA
- Q(G)
3.2 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
5 V
- C(ISS)
220 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
15 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Serie
PowerTrench®
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Logic Level Gate
- U(DSS)
30 V
- Kanäle
2
- Inhalt
1 St.
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Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263375 ON Semiconductor FDC6561AN MOSFET 2 N-Kanal 700 mW SOT-23-6
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