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ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 P-Kanal 360 mW SOT-23-3
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
MOSFET
Gehäuse
SOT-23-3
Ausführung
P-Kanal
Leistung (max) P(TOT)
360 mW
R(DS)(on)
10 Ω
Menge (Stück)
Ersparnis
Verpackungspreis (zzgl. MwSt.)
5
-
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15
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Highlights & Details
MOSFET
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
NDS0610
- Produkt-Art
MOSFET
- Gehäuse
SOT-23-3
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Ausführung
P-Kanal
- I(d)
120 mA
- U
60 V
- Leistung (max) P(TOT)
360 mW
- R(DS)(on)
10 Ω
- R(DS)(on) Referenz-Strom
500 mA
- R(DS)(on) Referenz-Spannung
10 V
- U(GS)(th) max.
3.5 V
- U(GS)(th) Referenz-Strom max.
1 mA
- Q(G)
2.5 nC
- Q(G) Referenz-Spannung
10 V
- C(ISS)
79 pF
- C(ISS) Referenz-Spannung
25 V
- Betriebstemperatur (min.)
-55 °C
- Montageart
Oberflächenmontage
- Betriebstemperatur (max.)
+150 °C
- Transistor-Merkmal
Standard
- U(DSS)
60 V
- Kanäle
1
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1264964 ON Semiconductor NDS0610 MOSFET 1 P-Kanal 360 mW SOT-23-3
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