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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC636TA TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-92
Ausführung
PNP
Collector-Strom I(C)
-1 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-45 V
Datenblatt (PDF)
Anzahl
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-67 %
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Highlights & Details
Bipolar-Standard-Leistungstransistor
Unser Service für Sie
Technische Daten
- Typ
BC636TA
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-92
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
PNP
- Collector-Strom I(C)
-1 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
-45 V
- VCE Sättigung (max.)
-500 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
-100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
40
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
-150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
-2 V
- Transitfrequenz f(T)
100 MHz
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Datenblatt
Datenblatt 154806 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC636TA TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 154806 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BC636TA TO-92 Anzahl Kanäle 1 PNP
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