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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13910STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN
EAN:
Hst.-Teile-Nr.:
Bestell-Nr.:
Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
Gehäuse
TO-126
Ausführung
NPN
Collector-Strom I(C)
1.5 A
Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
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Highlights & Details
Transistor
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Technische Daten
- Typ
BD13910STU
- Produkt-Art
Transistor (BJT) - diskret
- Gehäuse
TO-126
- Hersteller
ON Semiconductor
- Herst.-Abk.
OnS
- Kanäle
1
- Ausführung
NPN
- Collector-Strom I(C)
1.5 A
- Kollektor-Emitterspannung U(CEO)
80 V
- VCE Sättigung (max.)
500 mV
- Kollektor Reststrom I(CES)
100 nA
- Leistung (max) P(TOT)
1.25 W
- DC Stromverstärkung (hFE)
63
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzstrom
150 mA
- DC Stromverstärkung hFE - Referenzspannung
2 V
- Montageart
Durchführungsloch
- Inhalt
1 St.
Dokumente & Downloads
Bedienungs- und Sicherheitshinweise
Bedienungs- und Sicherheitshinweise 1263036 ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret BD13910STU TO-126 Anzahl Kanäle 1 NPN
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